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传三星正研制内置DRAM传感器 S9望采用

2017-12-22 19:09      点击:

  

  索尼IMX400传感器是首款封装了DRAM存储的移动级CMOS,搭载了这款CMOS的索尼旗舰手机自发布起就一向被称作拍照黑科技。另一家手机CMOS大厂三星很显然已经坐不住了,近来业界就有风闻称,三星的下一代Galaxy S系列旗舰手机将会装备相似IMX400的CMOS,并且这款CMOS将由三星研制。

  

  在CMOS中封装存储的优点,就是能够让手机的相机以数倍于以往的速度记载图画或拍照视频;这也供给了手机拍照1000帧慢动作的可能性。索尼的IMX400采用三层仓库式封装(图画传感器层、逻辑处理层和DRAM层),而风闻中三星的这款CMOS将会采用传统两层仓库+集成DRAM芯片的架构,很可能是为了躲避索尼的相关专利。

  现在,传三星正研制内置DR不同版别的三星旗舰手机混合搭载索尼IMX传感器和三星传感器。如果风闻中三星这款新传感器的确存在,AM传感器 S9望采用那么下一年的Galaxy S9很有可能悉数运用三星传感器。